【美股技术分析】美光再度发声削减供给,引发股价下挫,背后是否隐含转机?

图/Shutterstock

美光因应2023年需求展望不佳,严格控制供给端产出

记忆体大厂美光科技(MU)昨日(11/16)发布声明稿,针对目前市场环境下提出因应措施:

1.为因应市况变化,美光DRAM、NANDFlash的初制晶圆(waferstarts)产量预期将比会计年度2022年第4季削减约2成,且所有量产的制程都会受到影响。

2.美光考虑再度下修资本支出,并示警在2023年需求展望不佳下,为改善供应链整体库存,供给端必须萎缩。公司预估DRAM的位元供给量将呈负成长,NANDFlash位元供给量则仅个位数年成长,低于先前预估。

企业广泛调整供给,有机会成为记忆体产业触底讯号,惟须经历的时间可能延长

消息公布后,美光股价(11/16)应声下跌,终场跌幅6.7%收在58.87美元。不过,根据过往经验,业界在进行广泛下修供给及资本支出下,有机会成为记忆体产业逐渐触底的讯号。

美光同业SK海力士跟进大砍资本支出,然而,这次美光最大的竞争对手三星却反其道而行,不仅没有下修资本支出,甚至相较去年提升逾一成达54兆韩元,想借由此次产业遭遇寒冬之际,运用资本优势抢佔同业市佔率,巩固产业领导地位。故此次需求疲软、报价低迷的时间不排除有延长的可能,使产业从逐渐触底(供给下滑)再到重新回升(需求、报价回温),都需要经过一定的时间。

根据下图美光近8季简易现金流状况分析,公司从会计年度2022年第1季(2021年9月第一个礼拜五到2021年12月第一个礼拜四)营业现金流见顶后停滞,然而资本支出、折旧与摊销费用趋势仍在往上,压抑获利表现。结合上一段所述,当未来资本支出下滑,并严格控制供应端产出下,毛利率有机会减缓衰退速度,并开始出现筑底迹象。

美光短中期尚不明朗,仍在寻找底部支撑,根据技术分析推敲长线布局时机

整体而言,尽管短中期需求仍不明朗,美光竞争对手三星的逆势增产恐将延长产业触底回升的时间,但在许多半导体业者大幅下修供给及资本支出的趋势下,可留意产业触底迹象。另外,三星也在前次10月底法说会中提到,进入2023下半年,预期记忆体需求将受惠DDR5导入新CPU、伺服器及车用的规格升级而回温,故长期而言仍存在可观的成长动能。

因此,在昨日消息的利空测试下,未来可以利用技术分析观察美光长线的布局时机:

1.不再破底(48美元),形成头肩底的与左肩价格相近的右肩(左肩落在52美元)。若成功形成头肩底后,代表股价整理已逐步进入尾声,或将成为最早进攻的型态,操作上可等待突破颈线(65美元)并站稳后进场。

2.破底翻,美光前低位置落在48美元附近,若美光在跌破前低后迅速上涨,除了有清洗筹码的作用外,也有机会形成W底。若成功形成W底后,操作上可等待突破颈线65美元站稳后进场。

3.先前【美股技术分析】美光FY22Q4财报与财测惨澹,透析股价走势,能否鉴往知来?一文中分析到,美光这两年的大M头技术满足点在34美元,因此第3种情况较为悲观,维持震荡走低的路径,抵达技术满足点附近后才开始筑底,若出现此种走势,整理的时间通常较为漫长,故建议先行观望。

原始文章:

【美股技术分析】美光再度发声削减供给,引发股价下挫,背后是否隐含转机?

延伸阅读:

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