Rapidus、东京大学与法国半导体研究机构Leti合作开发1nm制程半导体 2023年11月17日 13:11 • 盯盘 Rapidus、东京大学将与法国半导体研究机构Leti合作,共同开发电路线宽为1纳米级的新一代半导体设计的基础技术。据悉,1纳米产品需要不同于传统的晶体管结构,Leti在该领域的成膜等关键技术上占优。 本站内容来源于网络或网友发布,如有侵权请点此联系 赞 (0) 0 生成海报 相关推荐 云南禄丰抽水蓄能电站开工建设 2024年5月28日 国家新闻出版署:不得向用户提供网络游戏币兑换法定货币的服务 2023年12月22日 前三季度浙江全社会用电量增长5.83%,9月猛增15% 2023年10月24日 国产特斯拉两个月内三次降价,陶琳:坚持以成本定价 2023年1月6日 创历史同期新高!上半年北京地区新增贷款8460亿元 2023年7月25日 11月15日午间涨停分析 2023年11月15日 人民币兑美元中间价报7.1894元。 2024年11月28日 北上资金净卖出A股超10亿元;南下资金净买入港股超10亿港元。 2024年4月12日 2022年华北油田油气当量创30年来新高 2023年1月9日 澳洲联储委员Happer:预算自动稳定措施与货币政策同步协调工作。 2023年4月12日 发表回复 您的电子邮箱地址不会被公开。 必填项已用*标注昵称:邮箱:网址: 记住昵称、邮箱和网址,下次评论免输入提交