美光推出业界首款HBM3Gen2内存：8层24GB能效提升2.5倍

美光7月26日宣布推出业界首款8层24GBHBM3Gen2内存芯片，是HBM3的下一代产品，采用1β工艺节点。美光是业界第一个制造出第二代HBM3内存的厂商。这款内存芯片总带宽超过1.2TB/s，引脚速度超过9.2Gb/s，比HBM3提高50%。此外，HBM3Gen2的每瓦性能是HBM3的2.5倍左右，能效大幅提升。美光表示，24GBHBM3Gen2内存已经出样给客户。（科创板日报）